GT750P10K
Goford Semiconductor
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Goford Semiconductor GT750P10K
| Artikelnummer: | GT750P10K |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Goford Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | RoHS-konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Goford Semiconductor GT750P10K Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments GT750P10K.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 79W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1940 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) -
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